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총 25문제가 검색되었습니다.
아래 모양과 같은 원기둥 모양 철사의 양끝을 잡아당겨 길이를 3배로 늘렸다. 길이를 늘려도 원래의 원기둥 단면의 모양은 유지되며, 재질의 특성과 부피 또한 변함없다고 가정할 때 철사의 저항값은 어떻게 되는가?
1배로 변함 없다.
⅓배로 감소한다.
3배로 증가한다.
9배로 증가한다.
다음 중 커패시터와 인덕터에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
커패시터와 인덕터 모두 에너지를 저장할 수 있는 소자이다.
DC 정상상태(Steady State)에서 커패시터는 단락회로(Short-Circuited)처럼 동작하고, 인덕터는 개방회로(Open-Circuited)처럼 동작한다.
충전된 커패시터에 전원을 끊게 되면 실제로는 커패시터에 매우 적은 누설전류가 흐르게 되어 시간이 지남에 따라 충전된 전하량이 줄어든다.
인덕터 양단의 전압은 인덕터에 흐르는 전류의 변화율에 비례한다.
JK플립플롭에서 마스터-슬레이브 구조가 필요한 이유로서 가장 옳은 것은?
입출력의 충돌을 막기위해
고속동작을 위해
전력소모의 최소화를 위해
스케일의 최소화를 위해
아래 그림 (a)와 (b)의 직렬 RLC 회로의 출력에 가장 가까운 특성의 필터로 바르게 연결한 것은?
(a) 저역통과필터, (b) 고역통과필터
(a) 고역통과필터, (b) 저역통과필터
(a) 대역통과필터, (b) 대역차단필터
(a) 대역차단필터, (b) 대역통과필터
아래 그림과 같이 실효전압 100[V]인 교류전원에 20[Ω]의 저항과 유도성 리액턴스 20[Ω]인 인덕터를 직렬로 연결하였다. 전기회로에 공급되는 유효전력은 얼마인가?
100[W]
200[W]
250[W]
500[W]
다음 중 PN 접합 다이오드에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
다이오드에 전압을 인가하지 않은 열적 평형 상태에서도 N 영역의 전자가 P 영역으로 이동하는 것을 방해하는 전위장벽이 형성된다.
역방향 바이어스를 인가하면 공핍층의 전위장벽이 작아진다.
순방향 바이어스를 인가하면 공핍층의 폭이 넓어진다.
P형과 N형의 불순물의 농도가 높을수록 공핍층의 폭은 넓어진다.
다음 중 MOSFET의 성질에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
소스와 몸체(body substrate) 사이에 역방향 바이어스를 걸어주면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다.
산화물(oxide)층의 두께가 증가하면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다.
몸체(body substrate)의 도핑을 높이면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다.
온도가 올라가면 문턱전압(Threshold Voltage)이 증가한다.
다음 중 Ge(게르마늄)과 Si(실리콘) 반도체에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
Ge 진성반도체가 Si 진성반도체보다 정공과 전자의 밀도가 낮다.
Si 결정이 Ge 결정보다 강하다.
Ge과 Si 모두 전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크다.
다음 공핍형 MOSFET으로 구성된 회로의 전압이득은?
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